アメリカの軍事関連の技術を盗み出し、中国へ流していた中国系アメリカ人の教授が逮捕される！海外の反応「一生刑務所に入れておけ。アメリカに住む中国人に対する戒めの意味だ」

　アメリカのテンプル大学物理学部の主任教授の驛酪ｬ星教授(４７歳)が、超伝導に関するアメリカの機密防衛技術を盗み出し、中国へ流していた罪で逮捕されました。

　驛雷ｳ授は超電導技術に関して世界的に有名な専門家です。検察官によると彼は中国国内の学術分野における名誉ある地位と引き換えに、アメリカ企業が開発した装置のデータを渡した疑いがあるということです。

二ホウ化マグネシウム（にホウかマグネシウム、magnesium diboride、MgB2）はホウ素とマグネシウムからなる無機化合物で、六方晶の層状物質。結晶構造は AlB2 型構造 (P6/mmm)。これは、ホウ素がグラファイトのように亀の甲（ハニカム）状となって層状に積層した間を、マグネシウムがインターカレート（intercalate, 挿入）したような構造である。金属間化合物であり、金属の性質を示す。ホウ素層内は主に共有結合であり、ホウ素層、マグネシウム層間はイオン結合的な力で結合している（この点が、グラファイト層間のファンデルワールス結合と異なる）。

　彼によると、その装置から収集された情報は、超伝導の分野で中国を世界トップへと押し上げる価値を秘めているとのこと。開発した企業とアメリカ国防総省に、機密を漏らさないと説得したうえで、彼は機密技術を手に入れたと見られています。

驛雷ｳ授(左端)

　ペンシルバニア州ペンバレーで木曜日にフィラデルフィア連邦地方裁判所に出廷した彼は、機密情報を漏えいさせた容疑について追及された後、１０万ドルの保釈金を支払い保釈されたそうです。検察官によると彼は研究休暇を２００２年に所得し、アメリカの企業で働き始めたそうです。この企業が後に二ホウ化マグネシウムを含む薄膜を使用した超伝導装置を開発した企業になります。

　研究者たちは二ホウ化マグネシウムは高温で導電性があることを発見し、驛雷ｳ授は高品質の薄膜を開発する仕事を手伝ったそうです。驛雷ｳ授は２００４年にアメリカ国防総省から研究に使用する装置を購入するために助成金を受けとりました。検察官によると彼は中国から来たポスト・ドクターの学生を通じて、技術を“中国政府も含めた第三者に供与”していたということです。

　連邦局は２０１０年に彼が中国国内に“世界規模の薄膜研究所”を建設することを提案していたメールも証拠として提出しています。
　超電導技術はいくつかの科学技術の性能や効率を向上させる能力を秘めており、世界中で開発競争が行われています。驛雷ｳ授は中国で生まれ、１９８７年に北京大学で物理学の博士号を所得、アメリカに帰化し、２００９年よりテンプル大学で働いているそうです。